近日，顯示技術(shù)領(lǐng)域迎來一項重磅突破。韓國國民大學(xué)都英樂教授研究團隊成功開發(fā)出一種名為“UVIMA”（紫外線照射水分吸附）的全新技術(shù)，該技術(shù)被證實能從根本上解決制約超微型MicroLED（尺寸小于5微米）發(fā)展的核心難題——效率急劇下降問題。這一突破為MicroLED在下一代顯示設(shè)備中的大規(guī)模應(yīng)用鋪平了道路。

MicroLED（微米發(fā)光二極管）被譽為繼OLED之后的下一代顯示技術(shù)，擁有高亮度、長壽命和低功耗等先天優(yōu)勢。然而，當(dāng)芯片尺寸縮小至5微米以下時，在制造過程中產(chǎn)生的表面缺陷會捕獲電能，導(dǎo)致發(fā)光效率不升反降，這一直是阻礙其商業(yè)化的最大技術(shù)障礙。

傳統(tǒng)技術(shù)無法有效解決這一難題。都英樂教授團隊獨辟蹊徑，設(shè)計了一套整合了低損傷蝕刻和核心UVIMA技術(shù)的創(chuàng)新工藝。UVIMA技術(shù)的原理是利用紫外線光化學(xué)活化空氣中的水分，使其穩(wěn)定修復(fù)LED表面的關(guān)鍵缺陷。

更令人驚喜的是，該工藝還激活了氮化鎵基LED中一種名為“延遲發(fā)光”的物理機制。這一機制能將原本被缺陷損耗掉的電子“搶救”回來，重新參與發(fā)光，變廢為寶，從而大幅提升效率。

實驗數(shù)據(jù)極具說服力：應(yīng)用該技術(shù)后，尺寸小于5微米的銦鎵氮/氮化鎵Fin-LED實現(xiàn)了70.9%的內(nèi)量子效率和約18,000 cd/m2的亮度。這些關(guān)鍵指標(biāo)證明，超微型LED的性能已經(jīng)達到了可工業(yè)化應(yīng)用的水平。

此外，該技術(shù)下的Fin-LED結(jié)構(gòu)易于通過介電泳技術(shù)進行精準(zhǔn)排列，展示了制造從智能手表、車載屏到超高分辨率顯示屏的巨大潛力。團隊已成功制作出64×64像素的微型顯示屏原型，驗證了其可行性。